安森美發佈高性能、低損耗的SUPERFET V MOSFET系列， 針對伺服器和電信之應用
前言：
新元件提供卓越的開關特性，使電源能符合80 PLUS Titanium能效標準
2021年12月8日--領先於智能電源和智能感知技術的安森美（onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，發佈新的600 V SUPERFETÒ V MOSFET系列。這些高性能元件使電源能滿足嚴苛的能效規定，如80 PLUS Titanium，尤其是在極具挑戰性的10%負載條件下。600 V SUPERFET系列下的三個產品組--FAST、Easy Drive和FRFET經過優化，可在各種不同的應用和拓撲結構中提供領先同類的性能。
600 V SUPERFET V系列提供出色的開關特性和較低的閘極噪聲，從而降低電磁干擾（EMI）--這對伺服器和電信系統是個顯著的好處。此外，強穩的體二極管和較高的VGSS（DC ±30 V）增強了系統可靠性。
安森美先進電源部門資深副總裁暨總經理Asif Jakwani表示：「80 Plus Titanium認證以應對氣候變化為目標，要求伺服器和數據儲存硬體在10%負載條件下的電源能效水平達90%，在處理50%負載時的能效達96%。我們的SUPERFET V系列的FAST、Easy Drive和FRFET版本正在滿足這些要求，提供強穩的方案，確保持續的系統可靠性。」
FAST版本在硬開關拓撲結構（如高端PFC）中提供極高能效，並經過優化以提供更低的閘極電荷（Qg）和EOSS損耗，實現快速開關。該版本的最初元件包括NTNL041N60S5H（41 mΩ RDS(on)）和NTHL185N60S5H（185 mΩRDS(on)），都採用TO-247封裝。NTP185N60S5H則採用TO-220封裝，NTMT185N60S5H採用8.0mm x 8.0mm x 1.0mm的Power88封裝，保證達到濕度敏感等級MSL 1，並具有Kelvin源架構以改善閘極噪聲和開關損耗。
Easy Drive版本適用於硬開關和軟開關拓撲結構，包含一個內置閘極電阻（Rg）及經優化的內置電容。它們適用於許多應用中的一般用途，包括PFC和LLC。在這些元件中，閘極和源極之間的內置齊納二極體的RDS(on) 超過120 mΩ，對閘極氧化物的應力更小，ESD耐用性更高，從而提高封裝產量，降低不良率。目前供應的兩款元件NTHL099N60S5和NTHL120N60S5Z的RDS(on) 為99 mΩ和120 mΩ，--均採用TO-247封裝。
快速恢復（FRFETÒ）版本適用於軟開關拓撲結構，如相移全橋（PSFB）和LLC。它們的優勢是快速體二極體，並提供降低的Qrr和Trr。強穩的二極管耐用性確保更高的系統可靠性。內置齊納二極管的NTP125N60S5FZ 的RDS(on)為125 mΩ，採用TO-220封裝，而NTMT061N60S5F 的RDS(on)為61 mΩ，採用Power88封裝。損耗最低的元件是NTHL019N60S5F，RDS(on)僅19 mΩ，採用TO-247封裝。
關於安森美（onsemi）
安森美（onsemi, 納斯達克股票代號：ON）正推動顛覆性創新，幫助建設更美好的未來。公司專注於汽車和工業終端市場，正加速推動大趨勢的變革，包括汽車功能電子化和安全、可持續能源網、工業自動化以及5G和雲端基礎設施等。安森美以高度差異化的創新產品組合，創造智慧電源和感知技術，解決世界上最複雜的挑戰，並引領創建一個更安全、更清潔、更智慧的世界。瞭解更多請瀏覽：https://www.onsemi.com/。
