埃賦隆半導體（Ampleon）今天宣佈推出兩款新型寬頻碳化矽基氮化鎵（GaN-on-SiC）高電子遷移率電晶體（HEMT），功率等級分別為30W的CLF3H0060(S)-30和100W的CLF3H0035(S)-100。這兩款高線性度器件是我們最近通過認證並投入生產的第3代GaN-SiC HEMT制程的首發產品。
這些器件提供了低偏置設置下的寬頻高線性度特性，從而提高了寬頻線性度水準（在5dB時三階互調低於-32dBc；在2:1頻寬上從飽和功率回退8dB時則低於-42dBc）。寬頻線性對於當今國防電子設備中所部署的頻率捷變無線電至關重要，後者用於處理多模通訊波形（從FM訊號一直到高階QAM訊號）並同時應用對抗通道的情況。這些要求苛刻的應用需要電晶體本身具有更好的寬頻線性度。根據市場回饋，埃賦隆半導體第3代GaN-on-SiC HEMT電晶體可滿足這些擴展的寬頻線性度要求。
此外，這兩款第3代電晶體還採用了增強散熱封裝以實現可靠運行，並為30W器件提供高達15:1的極耐用的VSWR耐受能力。該耐用性還可擴展到A類放大器工作模式，這在具有飽和閘極條件下，同時要在擴展頻率範圍內在寬動態範圍內保持線性度的儀器應用中很常見。埃賦隆半導體的第3代GaN-on-SiC HEMT電晶體為寬頻應用的高線性GaN技術設立了新標準，同時保持了出色的散熱效能和耐用性。
欲瞭解有關埃賦隆半導體最新50V第3代GaN-on-SiC射頻功率電晶體的更多資訊，敬請訪問：CLF3H0060(S)-30、CLF3H0035(S)-100。
這些電晶體可直接從埃賦隆半導體或其授權經銷商RFMW和得捷電子（Digi-Key）購買。採用ADS和MWO的大訊號模型可從埃賦隆半導體的網站下載。
關於埃賦隆半導體（Ampleon) ：
埃賦隆半導體創立於2015年，在射頻功率領域擁有50年的領導地位，本公司通過基於先進LDMOS和GaN科技的高頻應用創新，讓世界變得更美好。埃賦隆半導體在全球擁有超過1,600名員工，通過密切的合作夥伴關係、創新和出色的執行，使客戶能够成功地使用射頻電源產品。其創新而又一致的產品組合，4G LTE和5G NR基礎設施、工業、科學、醫療、廣播、航空航太和國防應用。欲瞭解更多有關該射頻功率領域全球領先合作夥伴的詳細資訊，請訪問 www.ampleon.com。
