2022年4月22日--英飛凌科技股份有限公司 (FSE：IFX/OTCQX：IFNNY) 推出全新 CoolSiC™ 技術：CoolSiC™ MOSFET 1200 V M1H。這款先進的碳化矽 (SiC) 晶片將透過常見的 Easy 模組系列以及 .XT 互連技術的獨立封裝，建置於廣泛擴充的產品組合。M1H 晶片具備高度靈活性，適用於太陽能系統 (如逆變器)等需要滿足峰值需求的應用，同時也是電動車快速充電、能源儲存系統及其他工業應用的理想選擇。
CoolSiC 技術的最新進展可顯著擴大閘極操作窗口，從而改善給定裸晶尺寸的導通電阻。同時，更大的閘極操作窗口提供了對閘極驅動器和佈局相關電壓峰值的高魯棒性，即使在更高的切換頻率下，也不會受到任何限制。隨著 M1H 晶片技術的發展，相關的外殼也採用了相似的技術與封裝，藉以實現更高的功率密度，可為工程師提供更多選擇來提升應用性能。
Easy 模組可達到更高的功率密度
M1H 將會整合至業界常用的 Easy 系列中，可進一步加強 Easy 1B 與 2B 模組。此外，還將推出一款採用全新 1200 V CoolSiC MOSFET 強化 Easy 3B 模組的新產品。新晶片尺寸的推出最大限度地提高了靈活性並確保了最廣泛的工業產品組合。M1H 晶片可大幅改善模組的導通電阻，使裝置更有效率、更加可靠。
此外，最大暫態接面溫度為 175°C以及過載能力的提升，可實現更高的功率密度與故障事件覆蓋率。與前代 M1 相比，M1H 採用較少量的內部 Rg，更易於最佳化切換特性。透過 M1 晶片，仍可保有動態特性。
獨立封裝具備超低導通電阻
除了 Easy 模組系列外，CoolSiC MOSFET 1200 V M1H 產品組合還包括具備全新超低電阻 7 mΩ、14 mΩ 和 20 mΩ 的 TO247-3 和 TO247-4 獨立封裝。新裝置易於設計，特別是由於閘極電壓過沖和下衝，全新的最大閘-源極電壓低至 -10V，並配備雪崩與短路能力規格。
英飛凌的 .XT 互連技術先前已推出 D2PAK-7L 封裝，現在也在 TO 封裝中採用這項技術。與標準互連相比，其散熱能力加強了 30% 以上。因此，這項散熱優勢可用於提高高達 15% 的輸出功率。此外，它可用於增加開關頻率以進一步縮減在例如電動汽車 (EV) 充電、儲能或光伏系統中的被動元件，可提高功率密度並降低系統成本。在不變更系統操作條件的情況下，.XT 技術將會降低 SiC MOSFET 接面溫度，因此可大幅增加系統的使用壽命和功率循環能力。這是伺服驅動器等應用中的關鍵要求。
該款 1200 V CoolSiC MOSFET M1H 新產品可進一步提高 基於SiC 應用的最佳化潛力，在全球快速實現潔淨能源和能源效率。
供貨時程
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