2022年6月8日--高功率密度的需求日益成長，因此推動了開發人員在其應用中採用 1500 VDC 系統規格，以提高每台逆變器的額定功率和降低系統成本。不過，1500 VDC 型系統在系統設計上帶來更多挑戰，例如在高 DC 電壓下快速切換，這通常需要多層次拓撲，因此需要複雜的設計和相對較多的元件數量。為了解決這項問題，英飛凌科技股份有限公司 (FSE：IFX/OTCQX：IFNNY) 宣布擴展其 CoolSiC™ 產品組合高電壓解決方案，為新一代的光伏系統、電動車充電及儲能系統奠定基礎。
擴展的 CoolSiC 系列包括 2 kV 碳化矽 (SiC) MOSFET 以及 2kV SiC 二極體，適用於高達 1500 VDC 的應用。全新 SiC MOSFET 透過單一封裝提供低切換損耗與高阻斷電壓，最能符合 1500 VDC 系統的需求。全新 2 kV CoolSiC 技術可提供低洩極-源極導通電阻 (RDS(on)) 值。另外，堅固的本體二極體適合硬切換控制。與 1700 V SiC MOSFET 相比，這項技術實現足夠的過電壓裕度，並使宇宙射線造成的 FIT 率降低 10 倍。此外，擴增的閘極電壓操作範圍使元件更易於使用。
新款 SiC MOSFET 晶片是以英飛凌最新推出的先進 SiC MOSFET 技術「M1H」為基礎。這項新技術可明顯擴增閘極電壓範圍，因此可改善晶片的導通電阻。同時，增加的閘極電壓範圍可對閘極控制閘極驅動電路雜散的電壓峰值提供高穩定性，即使在高切換頻率下，也不會受到任何限制。英飛凌提供一系列 EiceDRIVER™ 閘極驅動器，其功能性隔離可達 2.3 kV ，以支援 2 kV SiC MOSFET。
供貨情況
採用 EasyPACK™ 3B 與 62mm 模組的 2 kV CoolSiC MOSFET 的樣品目前已開始供貨，之後將推出新款高電壓分立式 TO247-PLUS 封裝。此外，英飛凌提供含有 2.3 kV 隔離功能 EiceDRIVER 的系列產品設計(design-in eco-system)。Easy 3B (DF4-19MR20W3M1HF_B11) 計畫於 2022 年第 3 季開始生產，這是一款含有 4 個升壓電路的電源模組，可作為 MPPT 級 1500 V PV 串列型逆變器。而採用半橋式組態 (3、4、6 mΩ) 的 62mm 模組將於 2022 年第 4 季投入生產。採用近期獲獎的 .XT 互連技術的分立式裝置預計將於 2022 年底上市。詳細資訊請瀏覽 www.infineon.com/CoolSiC。
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英飛凌新推出的 CoolSiC 系列包括 2 kV 碳化矽 (SiC) MOSFET 以及 2kV SiC 二極體，適用於高達 1500 VDC 的應用。全新 SiC MOSFET 透過單一封裝提供低切換損耗與高阻斷電壓，最能符合 1500 VDC 系統的需求。全新 2 kV CoolSiC 技術可提供低洩極-源極導通電阻 (RDS(on)) 值。另外，堅固的本體二極體適合硬切換控制。此外，擴增的閘極電壓操作範圍使元件更易於使用。
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