2022年7月19日--盛美半導體設備（上海）股份有限公司(以下簡稱“盛美上海”)（科創板股票代碼：688082），作為一家為半導體前道和先進晶圓級封裝應用提供晶圓制程解決方案的領先供應商，今日推出新型化學機械研磨後（Post-CMP）清洗設備。這是盛美上海的第一款Post-CMP清洗設備，用於製造高品質襯底化學機械研磨(CMP)制程之後的清洗。該清洗設備6英寸和8英寸的配置適用於碳化矽（SiC）襯底製造；8英寸和12英寸配置適用於矽片製造。該設備有濕進乾出（WIDO）和乾進乾出（DIDO）兩種配置，並可選配2、4或6個腔體，擁有每小時60片晶圓的最大產能（WPH）。
WIDO
DIDO
盛美上海董事長王暉博士表示：“全球設備供應鏈的交付時間繼續延長，這為盛美上海提供了一個絕佳時機，我們可以憑藉在半導體清洗制程技術方面的豐富經驗進入清洗市場，進一步擴大清洗產品組合。Post-CMP清洗設備為盛美上海的客戶提供了一種穩定、可靠且具有成本效益的解決方案，同時還能縮短交貨時間，大大緩解短缺的現狀。”
在CMP步驟之後，需要在低溫下使用稀釋的化學品進行物理預清洗制程，以減少顆粒數量。盛美上海的Post-CMP清洗設備能夠滿足這些要求，並提供多種配置，包括盛美上海獨創的 Smart MegasonixTM先進清洗技術。
第一種配置是新型WIDO線上預清洗設備，它可以直接與現有的CMP設備對接。晶圓自動轉移到兩個刷洗腔體中，使用化學和冷去離子水（CDIW）同時對晶圓正面、背面和斜面邊緣進行處理。然後將晶圓轉移至兩個或四個清洗腔體，並使用多種化學品和 CDIW 進行處理。這一過程通過氮氣（N2）乾燥和高速旋轉完成，可實現37納米以下少於15個剩餘顆粒的處理，或28納米以下20-25個剩餘顆粒的處理，同時金屬污染可控制在1E+8（原子/平方釐米）以內。當配置4個腔體的時候，WIDO預清洗設備可提供高達每小時35片晶圓的產能。
第二種配置是新型DIDO預清洗獨立設備，它配有四個裝載埠，比WIDO預清洗設備占地面積更小，適用於CMP產線具有內置清洗腔的客戶，從而保持取出的晶圓乾燥良好。在這種配置下，晶圓通過裝載埠手動轉移到預清洗設備中，然後進行與WIDO預清洗設備中相同的處理。DIDO預清洗設備有四腔或六腔配置，分別為兩個軟刷和兩個清洗腔體或兩個軟刷和四個清洗腔體。DIDO預清洗設備可實現與WIDO預清洗設備相同的金屬污染清洗效果。並且在使用配置六腔體設備時，產能可達到每小時60片晶圓。
第三種可用配置是WIDO離線預清洗設備，適用於晶圓廠占地面積較小的情況。使用該設備時，從CMP設備中出來後的濕晶圓需轉移到DIW中，並手動轉移至WIDO離線預清洗設備中，使用相同清洗制程，可實現相同的顆粒清洗性能，產能可達每小時60片晶圓。
關於盛美上海
盛美上海從事對先進積體電路製造與先進晶圓級封裝製造行業至關重要的單片晶圓及槽式濕法清洗設備、電鍍設備、無應力拋光設備和立式爐管設備的研發、生產和銷售，並致力於向半導體製造商提供定制化、高性能、低消耗的制程解決方案，來提升他們多個步驟的生產效率和產品良率。欲瞭解更多資訊，請訪問 http://www.acmrcsh.com/
