2023年7月19日--Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 今日宣布推出 DMWSH120H90SM4Q 和 DMWSH120H28SM4Q 兩款符合汽車規格的碳化矽 (SiC) MOSFET，進一步強化寬能隙 (Wide-Bandgap) 產品陣容。此系列 N 通道 MOSFET 產品可滿足市場對 SiC 解決方案不斷成長的需求，提升電動與混合動力汽車 (EV/HEV) 車用子系統的效率及功率密度，例如電池充電器、車載充電器 (OBC)、高效 DC-DC 轉換器、馬達驅動器及牽引變流器。
DMWSH120H90SM4Q 可在最高 1200VDS 範圍內安全可靠地運作，其閘極-源極 (Gate-Source) 電壓 (Vgs) 為 +15/-4V，且在 15Vgs 時具有 75mΩ (典型值) 的 RDS(ON)規格。此裝置適用於 OBC、汽車馬達驅動器、EV/HEV 中的 DC-DC 轉換器以及電池充電系統。
DMWSH120H28SM4Q 可在最高 1200VDS、+15/-4Vgs 的條件下運作，且在 15Vgs 時具有較低的 20mΩ (典型值) RDS(ON)。此 MOSFET 適用於其他 EV/HEV 子系統中的馬達驅動器、EV 牽引變流器及 DC-DC 轉換器。憑藉低 RDS(ON) 的特性，在需要高功率密度的產品應用中，此系列 MOSFET 能以較低的溫度運作。
這兩款產品均有低導熱率 (RθJC=0.6°C/W)，DMWSH120H90SM4Q 的汲極 (Drain) 電流高至 40A，DMWSH120H28SM4Q 的汲極電流高至 100A。此系列也內建快速且穩健的本體二極體 (Body Diodes)，具有低反向復原電荷 (Qrr)，在 DMWSH120H90SM4Q 中為 108.52nC，在 DMWSH120H28SM4Q 中為 317.93nC，因此能夠執行快速切換，同時降低功率損耗。
Diodes 採用平面製造技術開發出全新 MOSFET，能在汽車產品應用中提供强大與可靠的效能，提高汲極電流、崩潰 (Breakdown) 電壓、接面溫度及功率環形電路，表現優於先前發布的版本。此系列裝置採用 TO247-4 (WH 型) 封裝，提供額外的凱氏感測 (Kelvin-sensing) 接腳。可連接至源極以優化切換效能，實現更高的功率密度。
DMWSH120H90SM4Q 與 DMWSH120 H28SM4Q 均符合 AEC-Q101 標準，由 IATF 16949 認證的設施製造，並支援 PPAP 文件。
關於 Diodes Incorporated
Diodes 公司 (Nasdaq：DIOD) 是一家標準普爾小型股 600 指數和羅素 3000 指數成員公司，為汽車、工業、運算、消費性電子及通訊市場的全球公司提供高品質半導體產品。我們擁有豐富的產品組合以滿足客戶需求，內容包括分離、類比、邏輯與混合訊號產品以及先進的封裝技術。我們廣泛提供特殊應用解決方案與解決方案導向銷售，加上全球 32 個據點涵蓋工程、測試、製造與客戶服務，使我們成為高產量、高成長的市場中成為優質供應商。詳細資訊請參閱 www.diodes.com。
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