ROHM推出EcoGaN™ Power Stage IC「BM3G0xxMUV-LB」 助力減少伺服器和AC適配器等應用損耗並實現小型化！
前言：
替換現有Si MOSFET，元件體積可減少約99%，功率損耗可減少約55%
2023年8月29日--半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）針對伺服器等工控設備，和AC適配器等消費性電子設備的一次側電源*1，推出集結了650V GaN HEMT*2和閘極驅動器等技術的Power Stage IC「BM3G0xxMUV-LB」（BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB）。
近年來為了實現永續發展社會，對消費性電子和工控設備的電源提出了更高的節能要求。針對上述需求，GaN HEMT因有助提高功率轉換效率和實現元件小型化被寄予厚望。然而與Si MOSFET相比，GaN HEMT的閘極處理較為困難，必須與驅動閘極用的驅動器結合使用。在此市場背景下，ROHM結合了擅長的功率和類比兩種核心技術優勢，開發出集結功率半導體—GaN HEMT和類比半導體—閘極驅動器於一體的Power Stage IC。該產品的問世使得被稱為新世代功率半導體的GaN元件能更輕易地被導入。
新產品中匯集了新世代功率元件650V GaN HEMT、能夠大幅發揮GaN HEMT性能的專用閘極驅動器，以及追加功能和周邊元件。另外新產品支援更寬的驅動電壓範圍（2.5V～30V），具備支援一次側電源各種控制器IC的性能，因此可以替換現有的Si MOSFET（Super Junction MOSFET*3／以下稱Si MOSFET）。與SiMOSFET相比，元件體積可減少約99%，功率損耗可降低約55%，因此可同時實現更低損耗和小型化。
新產品已於2023年6月開始量產（樣品價格4,000日元/個，未稅）。另外新產品及對應的三款評估板（BM3G007MUV-EVK-002、BM3G007MUV-EVK-003、BM3G015MUV-EVK-003）也已開始透過電商平台銷售。
林昆祈, General Manager, PSADC (Power Semiconductor Applications Development Center), Delta Electronics, Inc.
「由於GaN元件對設備小型化和節能化有極大的貢獻，因此近年引發了業界對GaN元件的高度關注。本次新產品採用的是ROHM獨家類比技術，實現了高速且安全的閘極驅動。這將進一步推動GaN功率元件的應用，十分令人期待。」
＜產品陣容＞
新產品支援更寬的驅動電壓範圍（2.5V～30V），而且傳輸延遲短、啟動時間快，因此支援一次側電源中的各種控制器IC。
＜應用範例＞
適用於內建一次側電源（AC-DC或PFC電路）的各種應用。
消費性電子：大型家電、AC適配器、電腦、電視、冰箱、空調
工控設備：伺服器、OA設備
＜電商銷售資訊＞
電商平台：MOUSER、DigiKey等
開始銷售時間：2023年8月起
·產品資訊
產品型號：
BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB
·評估板資訊
評估板型號：
BM3G007MUV-EVK-002（PFC 240W）
BM3G007MUV-EVK-003
BM3G015MUV-EVK-003
＜什麼是 EcoGaN™＞
EcoGaN™是透過更大程度優化 GaN 的低導通電阻和高速開關性能，助力應用產品進一步節能和小型化的 ROHM GaN 元件。該系列產品有助應用產品進一步降低功耗、實現周邊元件小型化、減少設計工時和元件數量。
・EcoGaN™是 ROHM Co., Ltd.的商標或註冊商標。
＜名詞解釋＞
*1) 一次側電源
在工控設備和消費性電子等設備中，會透過變壓器等對電源和輸出單元進行隔離，以確保應用產品的安全性。在隔離部位的二端，電源側稱為一次側，輸出側稱為二次側，一次側的電源部位稱為一次側電源。
*2) GaN HEMT
GaN（氮化鎵）是一種運用於新世代功率元件的化合物半導體材料。與一般的半導體材料—Si（矽）相比，具有更優異的物理性能，目前，因其具有出色的高頻特性，越來越多應用開始採用該材料。
HEMT是High Electron Mobility Transistor（高電子移動率電晶體）的英文首字母縮寫。
*3）Super Junction MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor）
MOSFET是電晶體的一種，根據元件結構上的不同又可細分為DMOSFET、Planar MOSFET、Super Junction
MOSFET等不同種類的產品。與DMOSFET和Planar MOSFET相比，Super Junction MOSFET在耐壓和輸出電流方面表現更出色，在處理大功率時損耗更小。
