2024年3月14日--英飛凌科技股份有限公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出採用 TO-247PLUS-4-HCC 封裝的全新 CoolSiC™ MOSFET 2000 V 裝置，不僅能夠滿足設計人員對更高功率密度的需求，而且即使面對嚴格的高電壓和開關頻率要求，也不會降低系統可靠性。CoolSiC™ MOSFET 具有更高的直流母線電壓，可在不增加電流的情況下提高功率。作為市面上第一款擊穿電壓達到 2000 V 的碳化矽分立元件，CoolSiC™ MOSFET 採用 TO-247PLUS-4-HCC 封裝，爬電距離為 14 mm，電氣間隙為 5.4 mm。該半導體元件得益於其較低的開關損耗，適用於太陽能（如組串逆變器）以及儲能系統和電動汽車充電應用。
CoolSiC™ MOSFET 2000 V 產品系列適用於最高 1500 VDC 的高直流母線系統。與 1700 V SiC MOSFET 相比，這些元件還能為1500 VDC 系統的過壓提供更高的裕量。CoolSiC™ MOSFET的基準閘極閾值電壓為 4.5 V，並且配備了堅固的本體二極體來實現硬換向。憑藉.XT 連接技術，這些元件可提供一流的散熱性能，以及高防潮性。
除了 2000 V CoolSiC™ MOSFET 之外，英飛凌近期也將推出配套的 CoolSiC™ 二極體：首先將於 2024年第三季度推出採用 TO-247PLUS 4 引腳封裝的 2000 V 二極體產品組合，隨後將於 2024 年第四季度推出採用 TO-247-2 封裝的 2000 V CoolSiC™二極體產品組合。這些二極體非常適合太陽能應用。此外，英飛凌還提供與之匹配的閘極驅動器產品組合。
供貨情況
CoolSiC™ MOSFET 2000 V 產品系列現已上市。另外，英飛凌還提供相應的評估板 EVAL-COOLSIC™-2KVHCC。開發者可以將該評估板作為一個精確的通用測試平台，通過雙脈衝或連續 PWM 操作來評估所有 CoolSiC™ MOSFET 和 2000 V 二極體以及 EiceDRIVER™ 緊湊型單通道隔離閘極驅動器1ED31xx 產品系列。欲了解更多資訊，敬請瀏覽 www.infineon.com/coolsic-mosfet-discretes
採用 TO247-4-4 封裝的2000 V CoolSiC™ MOSFET
關於英飛凌
英飛凌科技股份有限公司是全球功率系統及物聯網半導體的領導廠商。英飛凌以其產品及解決方案驅動低碳化及數位化。英飛凌在全球擁有約 58,600名員工，2023 會計年度 (截至9月底)，公司營收約為 163億歐元。
英飛凌於德國法蘭克福證券交易所(股票代碼：IFX) 以及美國櫃檯買賣中心OTCQX International Premier (股票代碼：IFNNY) 掛牌上市。
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