2024年3月20日--英飛凌科技股份有限公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出新一代碳化矽（SiC）MOSFET溝槽式技術，開啟電源系統和能源轉換的新篇章。與上一代產品相比， 英飛凌全新的 CoolSiC™ MOSFET 650 V和1200 V Generation 2 技術在確保品質和可靠性的前提下，將 MOSFET 的主要性能指標（如能量和電荷儲量）提高了20%，不僅提升了整體能效，更進一步推動了低碳化進程。
CoolSiC™ MOSFET Generation 2 (G2) 技術繼續發揮碳化矽的性能優勢，透過降低能量損耗來提高電源轉換過程中的效率。這為光伏、儲能、直流電動汽車充電、馬達驅動和工業電源等功率半導體應用領域的客戶帶來了非常大的優勢。與前幾代產品相比，採用 CoolSiC™ G2 的電動汽車直流快速充電站最高可減少 10% 的功率損耗，並且在不影響外形尺寸的情況下實現更高的充電功率。基於 CoolSiC™ G2 元件的牽引逆變器可進一步增加電動汽車的續航里程。在再生能源領域，採用 CoolSiC™ G2 的太陽能逆變器可以在保持高功率輸出的同時實現更小的尺寸，從而降低每瓦成本。
英飛凌零碳工業功率事業部總裁 Peter Wawer 博士表示：「目前的大趨勢是採用高效的新方式來產生、傳輸和消耗能源。英飛凌憑藉 CoolSiC™ MOSFET G2 將碳化矽的性能提升到了新的水準。新一代碳化矽技術使廠商能夠更快地設計出成本更低、結構更精簡、性能更可靠，且效率更高的系統，在實現節能的同時減少現場的每瓦二氧化碳排放。這充分體現了英飛凌堅持不懈持續推動工業、消費、汽車領域的低碳化和數位化的創新。」
英飛凌開創性的 CoolSiC™ MOSFET 溝槽式技術推動了高性能 CoolSiC™ G2 解決方案的發展，實現了更加優化的設計選擇，與目前的 SiC MOSFET 技術相比，具有更高的效率和可靠性。結合屢獲殊榮的.XT封裝技術，英飛凌以更高的導熱性、更優的封裝控制以及更出色的性能，進一步提升了基於 CoolSiC™ G2 的設計潛力。
英飛凌掌握了矽、碳化矽和氮化鎵（GaN）領域的所有的關鍵功率技術，可提供靈活的設計和領先的應用知識，滿足現代設計的期待和需求。在推動低碳化的過程中，基於碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬能隙（WBG）材料的創新半導體已成為能源高效利用的關鍵。
CoolSiC 650V-1200V
關於英飛凌
英飛凌科技股份有限公司是全球電源系統及物聯網半導體的領導廠商。英飛凌以其產品及解決方案驅動低碳化及數位化。英飛凌在全球擁有約 58,600名員工，2023 會計年度 (截至9月底)，公司營收約為 163億歐元。
英飛凌於德國法蘭克福證券交易所(股票代碼：IFX) 以及美國櫃檯買賣中心OTCQX International Premier (股票代碼：IFNNY) 掛牌上市。
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