2024年3月29日--英飛凌科技股份有限公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出 750V G1 分立式 CoolSiC™ MOSFET，以滿足工業和汽車電源應用對更高能效和功率密度日益增長的需求。該產品系列包含工業級和車規級 SiC MOSFET，針對圖騰柱 PFC、T型、LLC/CLLC、雙主動式橋式（DAB）、HERIC、降壓/升壓和相移全橋（PSFB）拓撲結構進行了優化。這些 MOSFET 適用於典型的工業應用（包括電動汽車充電、工業馬達驅動器、太陽能和儲能系統、固態斷路器、UPS系統、伺服器/資料中心、電信等）和汽車領域（包括車載充電器（OBC）、直流-直流轉換器等）。
CoolSiC MOSFET 750 V G1 技術的特點是出色的 RDS(on) x Qfr 和卓越的RDS(on) x Qoss 優值（FOM），在硬開關和軟開關拓撲結構中均具有超高的效率。其獨特的高臨界電壓（VGS(th)，典型值為4.3 V）與低 QGD/QGS 率組合具有對寄生導通的高度穩健性並且實現了單極性閘極電壓驅動，不僅提高了功率密度，還降低了系統成本。所有半導體元件均採用英飛凌的自主晶片連接技術，在同等晶粒尺寸的情況下賦予晶片出色的熱阻。高度可靠的閘極氧化層設計加上英飛凌的認證標準保證了長期穩定的性能。
全新 CoolSiC MOSFET 750 V G1 產品系列在 25°C 時的RDS(on) 為 8 至 140 mΩ，可滿足廣泛的需求。其在設計上具有較低的傳導和開關損耗，大幅提升了整體系統效率。創新的封裝更大程度地減少了熱阻、幫助改善散熱並優化電路內功率環路電感，在實現高功率密度的同時降低了系統成本。值得一提的是，該產品系列採用了先進的QDPAK頂部冷卻封裝。
供貨情況
適用於汽車應用的 CoolSiC MOSFET 750 V G1 採用 QDPAK TSC、D2PAK-7L 和 TO-247-4 封裝；適用於工業應用的 CoolSiC MOSFET 750 V G1 採用 QDPAK TSC 和 TO-247-4 封裝。更多資訊，敬請瀏覽 www.infineon.com/coolsic-mosfet-discretes 和系列線上研討會。
CoolSiC MOSFET 750V QDPAK
關於英飛凌
英飛凌科技股份有限公司是全球電源系統及物聯網半導體的領導廠商。英飛凌以其產品及解決方案驅動低碳化及數位化。英飛凌在全球擁有約 58,600名員工，2023 會計年度 (截至9月底)，公司營收約為 163億歐元。
英飛凌於德國法蘭克福證券交易所(股票代碼：IFX) 以及美國櫃檯買賣中心OTCQX International Premier (股票代碼：IFNNY) 掛牌上市。
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