2024年6月26日--隨著人工智慧（AI）處理器對功率的要求日益提高，伺服器電源（PSU）必須在不超出伺服器機架規定尺寸的情況下提供更高的功率，這主要是因為高階 GPU 的能源需求激增。到 2030 年，每顆高階 GPU 晶片的能耗可能達到 2千瓦或以上。這些需求以及更高要求的應用和相關特定客戶需求的出現，促使英飛凌科技股份有限公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）開發電壓 650 V 以下的 SiC MOSFET 產品。基於今年早先發佈的第二代（G2）CoolSiCTM 技術，英飛凌再推出全新 CoolSiC MOSFET 400 V 系列。全新 MOSFET 產品組合專為 AI 伺服器的 AC/DC 級開發，是對英飛凌近期公佈的 PSU 路線圖的補充。該系列元件還適用於太陽能和儲能系統（ESS）、變頻馬達控制、工業和輔助電源供應（SMPS）以及住宅建築固態斷路器。
英飛凌電源系統業務線負責人Richard Kuncic 表示：「英飛凌提供的豐富高性能 MOSFET 和GaN 電晶體產品組合，能夠滿足 AI 伺服器電源對設計和空間的嚴苛刻要求。我們致力於透過CoolSiC MOSFET 400 V G2 等先進產品為客戶提供支援，推動先進 AI 應用實現最高能效。」
與既有 650 V SiC 和 Si MOSFET 相比，新系列具有超低的導通和開關損耗。這款 AI 伺服器電源供應器的 AC/DC 級採用多級 PFC，功率密度達到 100 W/in³ 以上，並且效率達到 99.5%，較使用 650 V SiC MOSFET 的解決方案提高了 0.3 個百分點。此外，由於在 DC/DC級採用了CoolGaN™電晶體，其系統解決方案得以完善。透過這一高性能 MOSFET 與電晶體組合，該電源可提供 8千瓦以上的功率，功率密度較現有解決方案提高了3倍以上。
全新 MOSFET 產品組合共包含 10 款產品：5款RDS(on) 級（11至45 mΩ）產品採用開爾文源TOLL 和 D²PAK-7 封裝以及 .XT 封裝互連技術。在Tvj = 25°C 時，其汲極-源極擊穿電壓為400 V，因此非常適合用於 2級和 3級轉換器以及同步整流。這些元件在嚴苛的開關條件下具有很高的穩健性，並且通過了100%的雪崩測試。高度穩健的 CoolSiC 技術與 .XT 互連技術相結合，使這些半導體元件能夠應對 AI 處理器功率要求突變所造成的功率峰值和瞬態，並且憑藉連接技術和低正 RDS(on) 溫度係數，即便在接面溫度較高的工作條件下，也能發揮出色的性能。
供貨情況
CoolSiC™ MOSFET 400 V 產品組合的工程樣品現已發佈，並將於 2024年10月開始量產。更多資訊，敬請瀏覽：www.infineon.com/coolsic-gen2。如欲進一步瞭解英飛凌 SiC、GaN 和 Si 的 AI 電源供應器解決方案，敬請瀏覽：www.infineon.com/AI-PSU。
CoolSiC™ MOSFET 400 V TO-Leadless
關於英飛凌
英飛凌科技股份有限公司是全球電源系統及物聯網半導體的領導廠商。英飛凌以其產品及解決方案驅動低碳化及數位化。英飛凌在全球擁有約 58,600名員工，2023 會計年度 (截至9月底)，公司營收約為 163億歐元。英飛凌於德國法蘭克福證券交易所(股票代碼：IFX) 以及美國櫃檯買賣中心OTCQX International Premier (股票代碼：IFNNY) 掛牌上市。
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