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英飛凌推出CoolSiC™蕭特基二極體2000 V, 直流母線電壓最高可達1500 VDC, 效率更高,設計更簡單

本文作者:英飛凌       點擊: 2024-10-27 09:25
前言:
2024年10月25日--如今,許多工業應用可以透過提高直流母線電壓,在力求功率損耗最低的同時,向更高的功率水準過渡。為滿足這一需求,全球電源系統和物聯網領域半導體領導者英飛凌科技股份有限公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出CoolSiC™蕭特基二極體2000 V G5,這是市面上首款擊穿電壓達到2000 V的分立式 SiC 二極體。該產品系列適用於直流母線電壓高達1500 VDC的應用,額定電流為10 A 至80 A,是光伏、電動汽車充電等高直流母線電壓應用的完美選擇。 

新款產品系列採用 TO-247PLUS-4-HCC 封裝,爬電距離為14 mm,間隙距離為5.4 mm,再加上高達80 A的額定電流,顯著提升了功率密度。它使開發人員能夠在應用中實現更高的功率水準,而元件數量僅為 1200 V SiC 解決方案的一半。這簡化了整體設計,實現了從多電平拓撲結構到2電平拓撲結構的平穩過渡。

此外,CoolSiC 蕭特基二極體2000V G5採用.XT互連技術,大大降低熱阻和阻抗,實現了更好的熱管理。此外,HV-H3TRB可靠性測試也證明了該二極體對濕度的耐受性。該二極體沒有反向或正向恢復電流,且具有正向低電壓的特點,確保系統性能更優。

2000 V 二極體系列與英飛凌於 2024 年春季推出的 TO-247Plus-4 HCC 封裝的 CoolSiC MOSFET 2000 V 完美適配。CoolSiC  二極體2000 V 產品組合將透過提供 TO-247-2 封裝而得到擴展,該封裝將於 2024 年 12 月推出。此外,英飛凌還提供了與 CoolSiC™ MOSFET 2000 V 匹配的閘極驅動器產品組合。

供貨情況
採用 TO-247PLUS-4 HCC 封裝的 CoolSiC 蕭特基二極體2000 V G5 系列及其評估板現已上市。瞭解更多資訊,敬請瀏覽 www.infineon.com/CoolSiC-diode-2kV

 
採用TO247-4封裝的 CoolSiC 蕭特基二極體2000 V G5

關於英飛凌
英飛凌科技股份有限公司是全球電源系統及物聯網半導體的領導廠商。英飛凌以其產品及解決方案驅動低碳化及數位化。英飛凌在全球擁有約 58,600名員工,2023 會計年度 (截至9月底),公司營收約為 163億歐元。英飛凌於德國法蘭克福證券交易所(股票代碼:IFX) 以及美國櫃檯買賣中心OTCQX International Premier (股票代碼:IFNNY) 掛牌上市。

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