2024年12月6日--為了滿足AI伺服器和電信領域的安全熱插拔操作要求,MOSFET必須具有穩健的線性工作模式和較低的 RDS(on) 。英飛凌科技股份有限公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出的新型OptiMOS™ 5 Linear FET 2解決了這一難題。這款MOSFET專為實現溝槽式MOSFET的RDS(on)與經典平面 MOSFET 的寬安全工作區(SOA)之間的理想平衡而設計。該半導體元件透過限制高浪湧電流防止對負載造成損害,並因其低RDS(on)而能夠在工作期間將損耗降至最低。與上一代產品OptiMOS™ Linear FET相比,OptiMOS™ Linear FET 2改善了高溫下的 SOA、降低了閘極漏電流,並擴大了封裝選擇範圍。這使每個控制器可以並聯更多的 MOSFET,不僅降低了物料(BOM)成本,還透過擴展產品組合為設計帶來了更大的靈活性。
100 V OptiMOS™ Linear FET 2採用 TO-leadless封裝(TOLL)。與 RDS(on) 相近的標準OptiMOS™ 5 相比,該元件在10 ms、54 V時的SOA高出12倍,在100 µs時的SOA高出 3.5 倍。後一項改進對於電池管理系統(BMS)在短路情況下進行電池保護尤為重要。在短路情況下,保障系統設計和可靠性的關鍵在於並聯MOSFET之間的電流分配。OptiMOS™ 5 Linear FET 2透過優化傳輸特性改進了電流分配。憑藉寬SOA和經過改進的電流分流,在元件數量由短路電流要求決定的設計中,元件數量最多可減少 60%。這實現了高功率密度、高效率且高度可靠的電池保護,可被廣泛用於電動工具、電動自行車、電動摩托車、堆高機、電池備用電源、純電動汽車等領域。
供貨情況
採用TOLL封裝的OptiMOS™ Linear FET 2
關於英飛凌
英飛凌科技股份有限公司是全球電源系統及物聯網半導體的領導廠商。英飛凌以其產品及解決方案驅動低碳化及數位化。英飛凌在全球擁有約 58,060名員工,2024 會計年度 (截至9月底),公司營收約為 150億歐元。英飛凌於德國法蘭克福證券交易所(股票代碼:IFX) 以及美國櫃檯買賣中心OTCQX International Premier (股票代碼:IFNNY) 掛牌上市。
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