2024年12月12日--英飛凌科技股份有限公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出業界首款512 Mbit抗輻射加固設計QSPI NOR快閃記憶體，適用於太空和極端環境應用 。這款半導體元件採用快速四串列周邊介面（133 MHz），具有極高的密度、輻射和單次事件效應（SEE）性能，是一款完全通過QML認證的非揮發性記憶體，可與太空級FPGA和微處理器配合使用。
這款新元件由美國空軍研究實驗室太空飛行器局（AFRL）資助，並與Microelectronics Research Development 公司（Micro-RDC）共同開發而成。它基於英飛凌經過實際驗證的SONOS電荷閘阱技術，運行速度較低密度替代品提高多達30%。
AFRL太空電子技術專案經理Richard Marquez 表示：「下一代太空級系統的設計者對高可靠性、高密度記憶體的需求不斷增長。我們與英飛凌、Micro-RDC 等行業領導者合作，共同開發出一種集高密度、高資料傳輸速率與優於替代品的輻射性能於一身的技術解決方案。」
Micro-RDC總裁Joseph Cuchiaro表示：「英飛凌的抗輻射加固設計NOR FLASH極佳地補充了Micro-RDC的極端應用環境解決方案系列。隨著512 Mbit密度元件的推出，設計人員能夠設計出性能卓越的系統，以滿足比以往更廣泛任務類型的嚴格要求。」
英飛凌航太與國防業務副總裁Helmut Puchner表示：「此次英飛凌512 Mbit NOR FLASH家族擴展至抗輻射加固記憶體產品組合，進一步證明了我們致力於提供高度可靠、高性能記憶體來滿足下一代太空需求的承諾。與AFRL和Micro-RDC的合作推動了行業領先技術的發展，透過採用提高關鍵衛星功能性能的技術，來應對太空應用中遇到的極端環境。」
英飛凌的 SONOS 技術獨特地結合了密度和速度以及先進的抗輻射性能，具有高達 10000 P/E 的出色耐用性和長達10年的資料保存期。該產品的133 MHz QSPI介面為太空級FPGA和處理器提供了高資料傳輸速率，並採用佔板面積1” x 1”的陶瓷 QFP（QML-V），以及佔板面積更小的 0.5” x 0.8”塑膠 TQFP（QML-P）兩種封裝。此外，該元件還為太空FPGA引導代碼解決方案提供了最高密度的TID/SEE性能組合。其QML-V/P封裝獲得DLAM認證，能夠滿足最嚴格的業界資格認證要求。
該元件的典型用例包括太空級FPGA的配置映射儲存和太空級多核處理器的獨立啟動代碼儲存。
供貨情況
新型英飛凌512 Mbit QML認證NOR FLASH現已上市。更多資訊，請瀏覽英飛凌512 Mbit抗輻射加固NOR FLASH。
512 Mbit抗輻射加固設計QSPI NOR FLASH
關於英飛凌
英飛凌科技股份有限公司是全球電源系統及物聯網半導體的領導廠商。英飛凌以其產品及解決方案驅動低碳化及數位化。英飛凌在全球擁有約 58,060名員工，2024 會計年度 (截至9月底)，公司營收約為 150億歐元。英飛凌於德國法蘭克福證券交易所(股票代碼：IFX) 以及美國櫃檯買賣中心OTCQX International Premier (股票代碼：IFNNY) 掛牌上市。
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