2025年2月13日--半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）已將TOLL（TO-LeadLess）封裝的650V耐壓GaN HEMT*1「GNP2070TD-Z」投入量產。TOLL封裝不僅體積小，散熱性能出色，還具有優異的電流容量和開關特性，因此在工業設備、車載設備以及需要支援大功率的應用領域被陸續採用。本次ROHM將封裝製程外包給有豐富實績的半導體後段製程供應商（OSAT）日月新半導體（威海）有限公司（ATX SEMICONDUCTOR (WEIHAI) CO., LTD.，以下簡稱 ATX）。
為了實現無碳社會，「提高電源和馬達等用電量占全球一半的應用的效率」已成為全球性課題。其中功率元件正是提高其效率的關鍵，特別是SiC（碳化矽）、GaN等新世代半導體材料將有望進一步提高各類型電源的效率。ROHM於2023年4月將650V耐壓的第1代GaN HEMT投入量產，並於2023年7月將閘極驅動器和650V耐壓GaN HEMT一體化封裝的Power Stage IC投入量產。為了對應大功率應用的進一步小型、高效率化的市場要求，ROHM採用在過往DFN8080封裝基礎上追加的形式，來強化650V GaN HEMT的封裝陣容。在TOLL封裝中內建第2代元件並產品化。
新產品內建TOLL封裝的第2代GaN on Si晶片，在與導通電阻和輸入電容相關的元件性能指標 (RDS（ON）×Qoss*2) 方面，數值表現達到業界頂級※水準。這將有助需要高耐壓且高速開關的電源系統進一步實現節能和小型化。新產品已於2024年12月投入量產（樣品價格 3,000日元/個，未稅），並已開始透過電商平台銷售。
關於新產品的量產，ROHM利用在垂直整合生產體系中所累積的元件設計技術和自家優勢，進行了相關設計和規劃，並於2024年12月10日宣佈以此作為與台積公司（Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited，以下簡稱 TSMC）合作的一環，前段製程在TSMC生產，後段製程在ATX生產。另外ROHM還計畫與ATX合作生產車載GaN元件。預計從2026年起，GaN元件在汽車領域的普及速度將會加快，ROHM也計畫在加強內部開發的同時，進一步加深與上述合作夥伴之間的關係，加快車載GaN元件投入市場的速度。
日月新半導體（威海）有限公司 董事兼總經理 廖弘昌 表示：
從晶圓製造到封裝，ROHM都擁有自己的生產設備，以及先進的製造技術，因此很高興ROHM外包委託我們生產。我們與ROHM於 2017年開始進行技術交流，並持續探討深入合作的可能性。因日月新後段製造方面的成績和技術能力享有盛譽，促成了雙方在氮化鎵元件領域的合作。另外亦計畫就ROHM目前正在開發的車載 GaN 元件展開合作，希望持續加強雙方的合作夥伴關係，促進各應用領域的節能化發展，為實現永續發展社會做出貢獻。
ROHM Co., Ltd. AP生產本部 本部長 藤谷 諭 表示：
非常高興ROHM的TOLL 封裝650V GaN HEMT能夠以令人滿意的性能投入量產。ROHM不僅提供GaN元件，還提供結合其與融入獨家類比技術優勢的IC元件的電源解決方案，而且還會再將這些設計過程中累積的專業知識和理念應用到元件設計中。透過與ATX等技術實力雄厚的OSAT合作，ROHM不僅能夠跟上快速成長的GaN市場步伐，同時還能不斷向市場推出融入ROHM優勢的產品。今後我們將繼續致力提高GaN元件的性能，促進各類型應用產品的小型化和效率提升，為豐富人類生活貢獻力量。
＜什麼是EcoGaN™＞
EcoGaN™是透過大幅優化GaN的性能，助力應用產品進一步節能和小型化的ROHM GaN元件。該系列產品有助應用產品進一步降低功耗、實現週邊元件小型化、減少設計工時和元件數量。
・EcoGaN™是ROHM Co., Ltd.的商標或註冊商標。
＜產品陣容＞
＜應用示例＞
適用於伺服器、AC adapter（USB充電器）、通訊基地台電源、工業設備電源、PV逆變器、ESS（Energy Storage System / 儲能系統）等輸出功率500W～1kW級的廣泛電源系統。
＜電商銷售資訊＞
開始銷售時間：2025年2月起
電商平台：MOUSER、Digi-Key等
＜關於日月新半導體（威海）有限公司＞
ATX位於中國山東省威海市，是從事功率元件的組裝和測試的OSAT企業。可以生產MOSFET、IGBT、SiC、GaN等50多種封裝，年產能超過57億顆。目前產品已被廣泛應用於工業設備、車載設備、可再生能源（太陽能發電等）、消費性電子等領域，尤其是在電動車控制領域，在全球知名品牌中擁有很高的市佔率。
ATX與全球排名前十的功率元件企業建立了長期且緊密的合作關係，是一家擁有自主智慧財產權以及相關核心技術，專注在新世代半導體元件開發方面的知名先進企業。
如欲瞭解詳情，請至ATX官網：http://www.atxwh.com/
＜名詞解釋＞
*1) GaN HEMT
GaN（氮化鎵）是一種運用於新一代功率元件的化合物半導體材料。與一般的半導體材料—Si（矽）相比，具有更優異的物理性能，目前，因其出色的高頻特性，越來越多應用開始採用該材料。
HEMT是High Electron Mobility Transistor（高電子移動率電晶體）的英文字母縮寫。
*2) RDS（ON）× Qoss
是用來評估元件性能的指標，Qoss是指從輸出端看的汲極源極間的總電荷量。另外RDS（ON）（導通電阻）是使MOSFET啟動（導通）時汲極和源極之間的阻值。該值越小，運行時的損耗（電力損耗）越少。這兩者相乘得到的值越低，開關工作效率越高，開關損耗越少。
