2025年8月1日--全球電源系統和物聯網領域半導體領導者英飛凌科技股份有限公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出了採用頂部散熱（TSC）Q-DPAK封裝的CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2。這款新型半導體元件能夠提供更加出色的熱性能、系統效率和功率密度，專為因應工業應用的高性能和高可靠性要求而設計，例如電動汽車充電、光伏逆變器、不斷電供應系統、馬達驅動和固態斷路器等。
新款CoolSiC 1200 V G2所採用的技術相較於上一代產品有顯著的提升，可在導通電阻（Rds(on)）相同的情況下，開關損耗降低達25%，系統效率提升0.1%。基於英飛凌先進的.XT擴散焊技術，G2系列產品的熱阻相較於G1系列降低15%以上，MOSFET溫度也降低了11%。憑藉4 mΩ至78 mΩ的出色導通電阻和豐富的產品組合，設計人員能夠靈活使用，提高系統性能，滿足目標應用需求。此外，新技術支援在高達200°C接面溫度（Tvj）下的超載運行，並具備出色的抗寄生導通能力，確保在動態且嚴苛的環境下實現可靠運行。
英飛凌CoolSiC MOSFET 1200 V G2提供單開關和雙半橋兩種Q-DPAK封裝。兩種型號均屬於英飛凌更廣泛的X-DPAK頂部散熱平台。所有頂部散熱（TSC）版本（包括 Q-DPAK 和 TOLT）的封裝厚度均為2.3 mm，具備高度的設計靈活性，使客戶能夠在單一散熱器元件下靈活擴展和組合不同產品。這種設計靈活性簡化了先進電源系統的開發，便於客戶根據需求定制和擴展其解決方案。
Q-DPAK封裝透過實現元件頂部與散熱器之間的直接熱傳導，顯著提升散熱性能。與傳統底部散熱封裝相比，這種直接熱傳導路徑能夠顯著提高熱傳導效率，使系統設計更加緊湊。此外，Q-DPAK封裝的佈局設計大幅減少了寄生電感，對提高開關速度至關重要，有助於提升系統效率，並降低電壓過沖風險。該封裝由於佔用空間小，適用於緊湊的系統設計，其與自動化裝配流程的相容性簡化了製造過程，確保了成本效益和可擴展性。
供貨情況
採用Q-DPAK單開關和雙半橋封裝的CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2現已上市。欲了解更多資訊，敬請瀏覽：https://www.infineon.cn/products/power/mosfet/silicon-carbide/discretes。
採用 Q-DPAK 封裝的CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2
關於英飛凌
英飛凌科技股份有限公司是全球電源系統及物聯網半導體的領導者，以其產品及解決方案驅動低碳化及數位化。英飛凌在全球擁有約 58,060名員工，2024 會計年度 (截至9月底)，公司營收約為 150億歐元。英飛凌於德國法蘭克福證券交易所(股票代碼：IFX) 以及美國櫃檯買賣中心OTCQX International Premier (股票代碼：IFNNY) 掛牌上市。
更多資訊請參考：www.infineon.com。
本篇新聞稿之英文版亦可於官網取得：www.infineon.com/press
追蹤英飛凌動態：X - Facebook - LinkedIn
