盛美半導體推出用於化合物半導體金蝕刻製程的Ultra ECDP電化學去鍍設備
前言：
Ultra ECDP 系統可在高精度金凸塊、薄膜及深孔去鍍應用中實現卓越均勻性，並有效降低側蝕
2025年9月28日--盛美半導體設備股份有限公司（以下簡稱「盛美」），作為一家為半導體前道和先進晶圓級封裝應用提供晶圓製程解決方案的卓越供應商，於今日宣布推出首款專為寬能隙化合物半導體製造而設計的 Ultra ECDP 電化學去鍍設備。該新設備專為在晶圓圖形區域外進行電化學晶圓級金（Au）蝕刻而設計，可實現更高的均勻性、更小的側蝕與更佳的金線外觀。
Ultra ECDP 設備提供專業化製程，包括金凸塊去除、薄膜金蝕刻及深孔金去鍍，並配備整合的預濕與清洗腔體。其具備精確的化學液循環與先進的多陽極電化學去鍍技術，該系統實現了最小化的側向蝕刻、優異的表面光潔度，以及所有圖形特徵的卓越均勻性。
盛美半導體總經理王堅表示：「受到電動汽車、5G/6G 通訊、射頻和人工智慧應用等領域的強勁需求推動，化合物半導體市場持續增長。金因具有高導電性、耐腐蝕性和延展性，正成為這些器件的優勢材料，但也帶來了蝕刻和電鍍方面的挑戰。我們的新型 Ultra ECDP 設備克服了這些障礙，提供可靠的量產就緒解決方案，幫助客戶實現高效能成果。這是我們如何透過創新來應對客戶挑戰的又一例證。」
Ultra ECDP专为满足化合物半导体制造不断发展的要求而设计，可适应不同衬底（包括碳化硅（SiC）、砷化镓（GaAs）和磷酸锂（Li₃PO₄））等的独特物理特性 - 如重量、应力和厚度。采用模块化设计的Ultra DECP具有灵活性，可在单一平台内集成电镀和去镀工艺，并利用多阳极技术控制不同区域的去镀过程。此外，Ultra ECDP还提供水平全表面去镀方式，以防止加工过程中的交叉污染。
Ultra ECDP 專為滿足化合物半導體製造不斷發展的要求而設計，可適應不同襯底（包括碳化矽 （SiC）、砷化鎵 （GaAs ）和磷酸鋰（ Li₃PO₄）等的獨特物理特性——如重量、應力和厚度。採用模組化設計的 Ultra ECDP 具備靈活性，可在單一平台內整合電鍍與去鍍製程，並利用多陽極技術控制不同區域的去鍍過程。此外，Ultra ECDP 還提供水準全表面去鍍方式，以防止加工過程中的交叉污染。
關於 Ultra ECDP 設備
Ultra ECDP 設備相容 6 吋與 8 吋平台，支援 150 毫米（mm）、159 mm 與 200 mm 晶圓尺寸。該系統可配置兩個開放式晶舟與一個真空機械臂，為各種製造環境提供高度適應性
關於盛美半導體設備
盛美上海致力於開發、製造和銷售半導體製程設備，涵蓋清洗、電鍍、無應力拋光、立式爐製程、前道塗膠顯影、PECVD，以及晶圓級與面板級封裝設備，賦能先進與次關鍵半導體器件製造。盛美上海專注於提供客製化、高效能與高性價比的製程解決方案，協助半導體製造商在多個製造步驟中提升生產效率與產品良率。欲了解更多資訊，請瀏覽https://www.acmr.com/。
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