2025年11月3日--工業領域中的快速直流電動汽車（EV）充電、百萬瓦(MW) 級充電、儲能系統，以及不斷電供應系統設備，往往需要在嚴苛環境條件與波動負載的運行模式下工作。這些應用對高能效、穩定的功率迴圈能力以及較長的使用壽命有著極高的要求。為滿足這些需求，全球電源系統和物聯網領域半導體領導者英飛凌科技股份有限公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出了EasyPACK™ C 系列產品 ——EasyPACK™ 封裝家族的新一代產品。該全新封裝系列的首款產品為碳化矽（SiC）電源模組，整合了英飛凌CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2技術，並採用了公司專有的.XT 互連技術。透過降低靜態損耗並提高可靠性，這些模組有助於滿足工業應用領域日益增長的能源需求，並助力實現永續發展目標。
憑藉英飛凌的 CoolSiC™ MOSFET G2 技術，新產品較上一代 CoolSiC™ MOSFET功率密度提升超過30%，使用壽命延長高達 20 倍。此外，該產品的導通電阻（RDS(on)）顯著降低約 25%。不僅如此，全新的 EasyPACK™ C 封裝設計理念進一步提高了功率密度與佈局靈活性，為未來更高電壓等級的產品設計奠定了基礎。而英飛凌的.XT 互連技術進一步延長了元件的使用壽命。
該系列模組可承受接面溫度（Tvj(over)）高達 200°C 的超載開關工況。搭載全新 PressFIT 壓接引腳，其電流承載能力提升一倍，同時降低PCB板的溫度，並優化安裝流程。全新的塑封材質與矽凝膠設計，支援該模組在最高 175°C 的接面溫度（Tvj(op)）下依然穩定運行。此外，該系列模組還具備一分鐘內耐受3 kV交流電的隔離等級。這些特性共同助力該模組實現更卓越的系統能效、更長的使用壽命，以及更出色的耐高溫性能。
採用 EasyPACK™ C 封裝的全新模組提供多種拓撲結構，包括三電平（3-level）和 H 橋（H-bridge）配置，且同時提供含/不含熱介面材料的兩種版本。
供貨情況
首款採用 EasyPACK™ C 封裝且整合 CoolSiC™ MOSFET G2 技術的模組現已上市。英飛凌計畫進一步拓展產品組合，以滿足不同應用領域不斷變化的需求。更多資訊，敬請瀏覽：www.infineon.com/products/power/mosfet/silicon-carbide/modules。
英飛凌CoolSiC™ MOSFET Easy 2C .XT
關於英飛凌
英飛凌科技股份有限公司是全球電源系統及物聯網領域半導體的領導者，以其產品及解決方案驅動低碳化及數位化。英飛凌在全球擁有約 58,060名員工，2024 會計年度 (截至9月底)，公司營收約為 150億歐元。英飛凌於德國法蘭克福證券交易所(股票代碼：IFX) 以及美國櫃檯買賣中心OTCQX International Premier (股票代碼：IFNNY) 掛牌上市。
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